|
 ГОЛОНЯК
Нік
Народився 3 листопада 1928 року в
Іллінойсі (США).
Винахідник (США), відзначений
численними академічними, індустріальними та державними нагородами за
внесок у розвиток напівпровідних мікросистем.
Навчався в Університеті штату
Іллінойс (доктор наук – 1951).
Учень і послідовник Нобелівського
лауреата Джона Бардіна (США). Працював у Головній лабораторії
напівпровідників "Дженерал Електрик Компані" у Сіракузах (штат
Нью-Йорк), де зробив кілька важливих відкриттів у галузі напівпровід
никових приладів, зокрема – винайшов перший напівпровідниковий лазер.
З 1963 – в Університеті штату Іллінойс (професор). На рахунку
доктора Н.Голоняка (факультет електро- та обчислювальної техніки) –
крупні науковотехнічні відкриття, особливо, у галузі кристалічної
обробки сполук та трьохкомпонентних сплавів, світлодіодів та
напівпровідникових лазерів. З 1976 працює над дослідженням
квантоворозмірних та інших світловипромінювальних структур.
Н.Голоняк – член Національної
академії наук США, Національної технічної академії, має 16 патентів
на вина ходи, є автором понад 380 статей та кількох книг, член
редколегій кількох наукових журналів.
Вчений відзначений медаллю Едісона
"За видатну працю в галузі електротехніки та значний вклад у головні
досягнення в сфері напівпровідникових матеріалів та приладів".
Серед нагород Н.Голоняка, також
премія "Дженерал Електрик Компані" (1962), премія Морріса Н.Лібманна
(1875), премія Симпозіуму Ga As та медаль Уелкера (1976), премія
Джека А.Мортона (1981), премія Електротехнічного товариства (1983).
Н.Голоняк – нащадок американських
емігрантів, вихідців із Закарпаття.
|
